I. Cristallisation des protéines. - Molécules de protéines et cristaux. -II. Mécanismes et cinétique de la croissance cristalline par dépôt en phase vapeur. - Couches d’adsorption d’équilibre sur les surfaces GaAs (111) et Si (111) dans la croissance CVD. - Rôle de la couche d’adsorption dans le dépôt chimique en phase vapeur. - Cinétique et mécanisme de la croissance de l’arséniure de gallium dans les systèmes de transport de gaz. - Épitaxie locale dans des conditions de forte anisotropie à fort taux de croissance. - Observation au microscope électronique et simulation informatique de la redistribution des pas dans les trains de pas due aux changements de densité des pas. - Croissance cristalline dans des conditions thermodynamiquement métastables. - Rôle des défauts dans la nucléation des moustaches poussant à partir de la vapeur. - Étude microscopique par émission de champ des formes de croissance induites par le champ thermique et la condensation des pointes de cristaux. -III. Épitaxie. - Particularités et mécanisme de la graphoépitaxie. - Application de la microscopie électronique à l’étude de la cinétique et du mécanisme de cristallisation. - Les effets de l’interaction médiée par le substrat entre les atomes adsorbés sur la structure des cristaux bidimensionnels formés à partir de ces atomes. - Croissance cristalline et polytypage dans le carbure de silicium. -IV. Mécanismes et cinétique de la croissance cristalline à partir de la masse fondue et de solutions à haute température. - Mouvement des macro-pas à faible angle. - Particularités de la fonte, croissance des cristaux avec différentes entropies de fusion. - Conditions cinétiques à l’interface de croissance d’un cristal mixte. - Approche générale de la simulation de Monte Carlo de la croissance cristalline. - Paramètres caractérisant la cinétique de dissolution du germanium cristallin dans le Ge-Au liquide. - V. Croissance des cristaux à partir de la fusion. - Stabilité de la cristallisation dans la croissance alimentée par un film défini par les bords de la fusion. - Forme et propriétés des cristaux issus de la fusion par les techniques Stepanov. - Stabilité de la forme cristalline dans les processus de croissance contrôlés par le ménisque. - Analyse numérique du transfert de chaleur et de masse dans la croissance de gros monocristaux à partir de la masse fondue. - Diagrammes de phase de systèmes binaires formés par des trifluorures de terres rares. -VI. Croissance de cristaux à partir de solutions. - Progrès dans la croissance du flux de gros cristaux. - Croissance de monocristaux d’émeraude. - Certaines procédures et équipements technologiques pour la croissance hydrothermale de monocristaux. - Le rôle joué par Me2+ dans la cristallisation hydrothermale des germanates de métaux divalents. -VII. Structure des défauts dans les cristaux : relation avec les conditions de croissance. - Études théoriques et expérimentales de la génération de stress et de dislocations dans les cristaux en croissance. - Défauts de croissance dans les cristaux semi-conducteurs. - Formation de défauts dans les hétérostructures épitaxiales et les solutions solides multicomposants de composés semi-conducteurs. - Croissance et structure des cristaux d’améthyste synthétiques. - Structure défectueuse des cristaux de Sb2S3 révélée par des techniques d’imagerie sur réseau cristallin au microscope électronique. - Sur la structure des intercroissances de graphite cristallin. -VIII. Nouveaux matériaux : équipement pour la croissance cristalline. - Croissance cristalline et propriétés de certains nouveaux conducteurs ioniques. - Méthodes modernes de surveillance et de contrôle de la croissance cristalline. - Application du chauffage laser à la croissance des cristaux. Langue : Anglais