Le premier livre traitant de la conception et de l’optimisation des transistors fabriqués à partir de couches tendues, Applications des dispositifs d’hétérostructure silicium-germanium, combine trois sujets distincts - la technologie, la conception et la simulation de dispositifs et les applications - de manière complète. Les aspects importants du livre comprennent des questions technologiques clés pour la croissance des couches tendues, la théorie de fond du HBT, la façon dont la simulation de dispositif peut être utilisée pour prédire la structure optimale du dispositif HBT pour une application particulière, telles que la cryogénie, les modèles compacts SiGe-HBT pour les applications RF et l’extraction de paramètres SPICE, et les stratégies pour l’amélioration des performances à haute fréquence des transistors à effet de champ à hétérojonction (HFET) à l’aide de structures MOSFET ou MODFET. Le livre couvre également la conception et l’application des dispositifs optoélectroniques et évalue comment la technologie SiGe rivalise avec d’autres technologies alternatives sur le marché des communications sans fil RF. Langue : Anglais